Максимальная скорость чтения 550 МБ/с
Максимальная скорость записи 520 МБ/с
Время наработки на отказ 1500000 ч
Скорость произвольного чтения (4KB) (IOPS) 98000
Скорость произвольной записи (4KB) (IOPS) 90000
Потребляемая мощность 4 Вт
Особенности: Тип NAND: Samsung V-NAND 3bit MLC